ВЛИЯНИЕ ТЕРМООТЖИГА НА СОСТОЯНИЕ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАНННЫХ АТОМОВ MN В SI”
Keywords:
примеси, профили, влияния, термический отжиг, , глубина, концентрацион-ное распределение, доза облучения, температуры активации..Abstract
В данной работе приведены результаты исследований изучения про-филей распределения имплантированных атомов Mn в Si в зависимости от дозы облучения и температуры отжига методом РОР. Полученные резуль-таты подтверждают аналогичные данные, полученные ВИМС. Изучено вли-яние термоотжига на распределение Mn и других примесей, в частности, кислорода. Приведена возможность использования метода РОР для анализа концентрационного распределения легированных примесей и взаимодействия примесей между собой.
References
Риссел Х, Руге И. « Ионная имплантация». М.Наука 1983. С 360.
Лифшиц В.Г. «Электронная структура и силицидов образование в тонких пленках переходных металлов на кремнии».Препринт. 1984,с.260.
Эгамбердиев Б.Э, Бахадырханов М.К, Абдугаббаров М.С «Свой-ства поверхностных и приповерхностных слоев кремния, имплантиро-ванного марганцем» Неорганические материалы РАН, 1995,Т.31,№ 3,С. 301-303.
Эгамбердиев Б.Э. «Электронно- спектроскопические исследова-ния физических свойств эпитаксиальных комбинаций и ионно- имплан-тированных слоев в кремнии ». Докторская диссертация – Т, 2003,С 243.
Эгамбердиев Б.Э , Мамадалимов А.Т, Ковешников С.В. «Физика и диагностика поверхности» Т,2012, С 460.
