YUQORI HARORATLI TAVLANISH JARAYONIDA TEMIR BORAT (FeBO3)DAGI STRUKTURAVIY O'ZGARISHLAR
Keywords:
Temir borat, yuqori haroratda tavlanish, ortoborat, gematit, rentgen nurlari diffraktsiyasi.Abstract
Temir borat ikki asosiy usulda sintezlanishi mumkin: gaz tashish va eritma eritmasi. Birinchi usul yaxshi rivojlangan asosiy bo'lmagan kristalllarni olish imkonini beradi. Temir borat ilm-fan va texnologiyaning turli sohalarida yuqori texnologiyali amaliy qo'llanmalar uchun juda istiqbolli materialdir. Jumladan, FeBO3 asosida, magnit-optik va magnitakustik transduserlar, asboblar o'ta zaif magnit maydonlarni o'lchash, harorat va bosimlarni aniqlash mumkin.
References
Edelman, I., Kliava, J., fizik. stat. Sol. B. 2009. jild. 246. B. 2216–2231.
Afanasiev D.Razdolski I.Skibinskiy K.M., Bolotin D.Yagupov S.V, Strugatskiy M, Kirilyuk A., Rasing Th. Kimel A.V. // Fiz. Rev. Lett. 2014. jild. 112. P. 147403-1-5.
Pankratov A., Strugatskiy M., Yagupov S. // Olimlar Taurida Milliy Universitetining eslatmalari. Fizika. 2007 yil. T. 20 (59). № 1, 64–73-betlar.
Sharipov M.Z., Sokolov B.Yu. Fayziyev Sh.Sh., Mirjanova N.N. FeBO3 : Mg kristalining magnit strukturasining qayta joylashishining uning magnit-optik anizotropiyasiga ta'siri. Fan, texnologiya va ta'lim. 2015. No4 (10), -P. 15-18.
D. R. Djurayev, B. Yu. Sokolov va Sh. Sh. Fayziyev. FeBO3 : Mg monokristalining kosmik modulyatsiyalangan magnit tartibidagi fotoinduktsiyali o'zgarishlar. Rossiya fizika jurnali, 2011, jild. 54, №3, -P 382-385.
Djuraev D. R., Turaev A. A. Photoelectric sensitivity of multifunctional sensor on the outdoor transistor //Scientific reports of Bukhara State University. – 2018. – Т. 1. – №. 2. – С. 7-11.
Karimov A. V. et al. Distinctive features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of measurement //Journal of Engineering Physics and Thermophysics. – 2016. – Т. 89. – №. 2. – С. 514-517.
Dzhuraev D. R., Turaev A. A. Features of key parameters of field transistors //Scientific reports of Bukhara State University. – 2020. – Т. 3. – №. 2. – С. 7-10.
Каримов А. В. и др. Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе //Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2011.
Djuraev D. R. et al. The Principles Of Increasing The Sensitivity Of Transistor Structures To External Influences //Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. – 2019. – Т. 1. – №. 1. – С. 36.
Karimov A. V. et al. Tenso properties of field-effect transistors in channel cutoff mode //International Journal of Engineering Inventions e-ISSN. – 2016. – С. 2278-7461.
Karimov A. V. et al. Nekotorye osobennosti ogranichitelya toka na polevom tranzistore //Tehnologiya i konstruirovanie v elektronnoj apparature. – 2011. – №. 1-2. – С. 90.
Тураев А. А., Ахтамов Б. Р. Основные критерии параметров полевого транзистора для многофункционального датчика //Наука без границ. – 2017. – №. 6 (11).
Rakhmanovich D. D. et al. Physical and Technological Aspects of the Sensor on the Field Transistor //Central Asian journal of theoretical & applied sciences. – 2021. – Т. 2. – №. 10. – С. 101-106.
Ahmedjonovna S. S., Ataevich T. A. Control of stock current in field-effect transistors by gate voltage //ACADEMICIA: An International Multidisciplinary Research Journal. – 2021. – Т. 11. – №. 4. – С. 417-421.
Тураев А. А. Термочувствительный параметр полевого транзистора в режиме ограничения токов //Научный альманах. – 2019. – №. 2-2. – С. 81-84.
Тураев А. А. Особенности температурной чувствительности транзисторной структуры в двухполюсном режиме //Colloquium-journal. – Голопристанський міськрайонний центр зайнятості, 2019. – №. 3-1 (27).
Тураев А. А., Жураев А. Р. Модуль приема оптических сигналов с входным каскадом на полевом фототранзисторе : дис. – Сумский государственный университет, 2016.
Тураев А. А. Стоковая, вольтамперные характеристики полевого транзистора //Информационные и инновационные технологии в науке и образовании. – 2020. – С. 666-669.
Djuraev D. R., Turaev A. A. Photoelectric sensitivity of multifunctional sensor on the outdoor transistor //Scientific reports of Bukhara State University. – 2018. – Т. 1. – №. 2. – С. 7-11.
Каримов А. В. и др. Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой //Журнал фізики та інженерії поверхні. – 2015. – Т. 13. – №. 1. – С. 12-16.
Тураев А. А., Хайдаров Р. М., Хожиев Ж. Ж. Фотовольтаический эффект в диодном режиме включения полевого транзистора //Молодой ученый. – 2015. – №. 23. – С. 40-43.
Juraev D. R., Nazarova M., Turaev A. The atmospheric optical communication link of new generation; Atmosfernye opticheskie linii svyazi novogo pokoleniya. – 2010.
Карuмов А. В. и др. Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с ди намической.
Тураев А. А. Исследование биполярного транзистора в качестве датчика температуры.
Turaev A. A., KS S. Dinamik yuklamali sxemada maydoniy tranzistorning kuchaytirish xossalari //Buxoro davlat universiteti ilmiy axboroti. – 2016. – Т. 4. – №. 64. – С. 31-35.
Тураев А. А. Термочувствительный параметр полевого транзистора в режиме ограничения токов //Научный альманах. – 2019. – №. 2-2. – С. 81-84.
Abdulkhayev O. A. et al. Physico-technological aspects multifunctional sensor on field-effect transistor //New Trends of Development Fundamental and Applied Physics: Problems, Achievements and Prospects. – 2016. – С. 10-11.
Тураев А. А. ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ДАТЧИКА НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ //Национальная ассоциация ученых. – 2020. – №. 57-1 (57). – С. 56-59.
Abdulkhaev O. A. et al. The optical signal transfer and reception modules via atmosphere; Moduli peredachi i priema opticheskogo signala cherez atmosferu. – 2011.
Rakhmatov A. Z. et al. Research the drain characteristics of field-effect transistor as current limiter; Issledovanie stokovykh kharakteristik polevogo tranzistora v kachestve ogranichitelya toka. – 2010.
Juraev D. R., Nazarova M., Turaev A. The atmospheric optical communication link of new generation; Atmosfernye opticheskie linii svyazi novogo pokoleniya. – 2010.
Atayevich T. A. et al. Properties of the Most Important Semiconductors //American Journal of Social and Humanitarian Research. – 2022. – Т. 3. – №. 7. – С. 188-194.
Turayev A. A., Hamrayev J. H. Researching of the influence of mechanical stresses on magneto-optical properties of iron borate crystal //Global Scientific Review. – 2022. – Т. 10. – С. 82-85.
Valiyev U.V., Saidov K.S., Lukina M.M. TbAlO3 nodir yer ortoalyuminatida Faraday effektining tabiati haqida. Qattiq jismlar fizikasi. 1999. No11, P.2047-2052.
D.R. Djurayev, L.N. Niyozov, B.Y. Sokolov. Strukturaviy heterojen oson tekislik zaif ferromagnitlarning modulyatsiyalangan magnit fazasi. Texnik fizika 61 (6), 883-886.
