ХОТИРА ЭЛЕМЕНТЛАРИДА АФН-ҚАТЛАМЛАРДАН ФОЙДАЛАНИШ
Keywords:
АФН-анамаль фотоволтаик элемент, Металл-нитрид-оксид-ярим ўтказгич (МНОП), электр майдон, аморф нитрид кремний ва кремний икки оксиди юпқа қатламлари, МДЯ.Abstract
АФН ёрдамида яратиладиган асбобларда юқори қаршиликли мослаштирувчи звенолар, индикаторлар бўлиши талаб қилинади. Хозирги вақтда электр майдони таъсирида зарядларни ушлаб қолувчи қутбланувчи диэлектриклар ишлатилган МНОП- хотира элементлари кенг ва интенсив текширилмоқда. Қутбланувчи диэлектрик сифатида бу структураларда кадмий нитрид қатлами кенг фойдаланилади. Бундай хотира элементлари металл-нитрид-оксид-ярим ўтказгич (МНОП) системасидан иборат бўлиб, бу система маълумотларни электр зарядлари воситасида эслаб қолиш ва қайта фойдаланиш имконини беради.
References
Гильман Б.И. и др. Теория накопления заряда в МНОП-структурах//Микроэлектроника. 2003. Т.2.№3.стр.
Гиновкер А.С. и др. Запоминающее устройство на основе МНОП (металл-нитрид-окисил-полупроводник) – структур // Микроэлектроника. 1973.Т.2 №5. Стр.379
Курдова Л.Е и др. Проводимость пленок нитрида кремния (SiN4) в структурах металл-нитрид-кремния-окись кремния (МНОК) и металл-нитрид-кремния-кремний (МНК) // Микроэлектроника. 1974. Т.З. №4. Стр. 363.
Nurdinova R. A. et al. NEW ASPECTS OF APPLICATION OF ELEMENTS WITH ANOMALOUS PHOTOVOLTIC VOLTAGE //Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. – 2019. – Т. 1. – №. 4. – С. 7.
Найманбаев Р., Ирматов С.Х. Влияние поляризованного света на фотоэлектрические свойства в ФПГТ. НТЖ, ФерПИ, 2005. №3 с. ПО- 172
