ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА КВАНТОВЫХ ЯМАХ

Authors

  • Абдумухамед Худайбергенов Author

Keywords:

квантовых точек, транзистор, кристалл, Гетеропереходы и гетероструктуры.

Abstract

В этой статье рассказывается о полевых транзисторах в квантовых ямах.

References

L.A.A.Warnes. «Diodes». Диссертация. London: Department of Electronic и Electrical Engineering Loughborough University of Technology, 1994 (цит. на с. 8, 10—12, 23).

Radha Setty. «MMIC Technologies: Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT)».IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques том 7, номер 5, (2021), с. 12 (цит. на с. 9, 12, 14—17, 21, 22, 25, 71).

Daniel M.Balazs и др. «Colloidal Quantum Dot Inks for Single-StepFabricated Field-Effect Transistors: The Importance of Postdeposition Ligand Removal». Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen (2018) (цит. на с. 15, 34—36).

Published

2024-10-11

Issue

Vol. 2 No. 27 (2024): Молодые ученые

Section

Articles

How to Cite

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА КВАНТОВЫХ ЯМАХ. (2024). Young Scientists, 2(27), 130-132. https://in-academy.uz/index.php/YO/article/view/28347