P-N O’TISHLI GETROSTRUKTURALARDA TEMPERATURA, BAZA VA SIRQISH QARSHILIKLAR TA’SIRIDA VOLT-AMPER XARAKTERISTIKASINI O’RGANISH

Авторы

  • ILYOSBEK NE’MATOV Namangan to’qimachilik sanoati instituti Автор
  • RAXIMJON IBRAGIMOV Namangan davlat universiteti Автор
  • SANJARBEK KARIMOV Namangan davlat universiteti Автор

Ключевые слова:

ћ – Plank domiysi; ћω – fotonlarni energiyasi; α – optik yutilish koeffitsienti; α(ћω) - optik yutilish koeffitsienti spektral xarakteristikasi;Ev – valent zonaning yuqori chegarasi; Ec – o‘tkazuvchanlik zonasining quyi chegarasi; g(ε) – elektronlarni holat zichligining taqsimoti; gV(ε) - valent zonadagi elektronlarni holat zichligining taqsimoti; gC(ε) - o‘tkazuvchanlik zonasidagi elektronlarni holat zichligining taqsimoti; E – energetik holat; Eg – taqiqlangan zonaning energetik kengligi; N(C) – o‘tkazuvchanlik zonasidagi elektron holatlari zichligining effektiv qiymati; N(V) – valent zonadagi elektron holatlari zichlining effektiv qiymati;

Аннотация

Har qanday yarimo’tkazgichli tuzilmalar yoki yorug’lik diodlarida ham p-n o’tish mavjud. Yorug’lik diodlarida to’g’ri yo’nalish bo’ylab elektr toki o’tishi natijasida zaryad tashuvchilar elektron va kovaklar rekombinatsiyaga uchrashi tufayli fotonlarni nurlaydi. Bunda elektronlar bir energetik holatdan ikkinchi energetik holatiga o’tadi. Lekin hamma yarimo’tkazgichlarda ham rekombinatsiya tufayli yorug’lik nurlanavermaydi. To’g’ri zonali bo’lmagan yarimo’tkazgichlardan masalan kremniy, germany kabi elementlardan tayyorlangan diodlar amalda umuman nurlamaydi.

Библиографические ссылки

Kaya, F. S., Duman, S., Baris, O., & Gurbulak, B. (2021). Calculation of characteristics parameters of Au /methyl green/n-Si/Ag diodes from the current-voltage measurements. Materials Science in Semiconductor Processing, 121, 105325. (https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105325)

M. Zhu, J. Zhang, H. Hou, Microelectron. Eng. 95 (2012) 112–115.

O’g I. N. R. et al. Turdagi o ‘ta panjaralardagi ikki o ‘lchamli elektronlarning fononlarda sochilishi //Barqarorlik va yetakchi tadqiqotlar onlayn ilmiy jurnali. – 2023. – Т. 3. – №. 9. – С. 43-48.

Ravshan O’g’li N. I. et al. Qayta tiklanuvchi energiya manbalaridan unumli foydalanishda a-si: h asosidagi fotoelektrik qurilmalarda kovaklar tok tashuvchilik mexanizmining ahamyati //Ta'lim va rivojlanish tahlili onlayn ilmiy jurnali. – 2023. – Т. 3. – №. 10. – С. 6-10.

Ibragimov R. Methodology of teaching physics in vocational schools //Science and innovation. – 2023. – Т. 2. – №. B9. – С. 206-210.

Ibragimov R. Kasb-hunar maktablarida fizika fanini o ‘rganishda o ‘quvchilar o‘rtasida eksperimental ko‘nikmalarni shakllantirish //Farg'ona davlat universiteti. – 2024. – №. 1. – С. 17-17.

Xasanboy o’g’li I. R. Modeling of Educational and Professional Activities of Students in the Process of Teaching Physics in Vocational Schools //Excellencia: International Multi-disciplinary Journal of Education (2994-9521). – 2024. – Т. 2. – №. 6. – С. 550-552.

Опубликован

2025-01-30

Как цитировать

P-N O’TISHLI GETROSTRUKTURALARDA TEMPERATURA, BAZA VA SIRQISH QARSHILIKLAR TA’SIRIDA VOLT-AMPER XARAKTERISTIKASINI O’RGANISH. (2025). Инновационные исследования в современном мире, 4(3), 97-100. https://in-academy.uz/index.php/ZDIT/article/view/17755