ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО РАСТВОРА (Si2)1-x(ZnSe)x МЕТОДОМ СКАНИРУЮЩЕЙ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ Si/ZnSe

Article Sidebar

Eurasian Journal of Academic Research
PDF
Выпуск: Том 4 № 2 Part 2 : Евразийский журнал академических исследований
Раздел: Статьи
Опубликован:
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Main Article Content

Ассистент кафедры Радиотехнические устройства и системы Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекистан
orzubek.tursunov@yandex.ru

Аннотация:

Существующие в настоящее время технологические методы изготовления и полупроводниковые материалы, используемые при разработке эффективных фотоэлементов с максимальным коэффициентом полезного действия и стабильными параметрами, практически достигли своего предела. Для дальнейшего повышения основных параметров фотоэлементов необходимо использовать нетрадиционные полупроводниковые материалы или новые физические явления.

Ключевые слова:

Article Details

Как цитировать:

Турсунов, О. . (2024). ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО РАСТВОРА (Si2)1-x(ZnSe)x МЕТОДОМ СКАНИРУЮЩЕЙ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ Si/ZnSe. Евразийский журнал академических исследований, 4(2 Part 2), 58–65. извлечено от https://in-academy.uz/index.php/ejar/article/view/28335

Библиографические ссылки:

Cаидов А.С, Ш.Н. Усмонов, М.У. Каланов, К.А. Амонов. № 15 (137) 2013

Бахадырханов М.К., Абдурахманов Б.А. Доклады Академии Наук РУз. №3, стр. 29-32.2019.

Saidov A.S, Razzakov A., Risaeva V., Koshchanov E. Minerals Chemistry and Physics. Vol. 68. P. 1-6. 2001.

Саидов А.С., Усмонов Ш.Н., Холиков К.Т., Сапаров Д. Письма в ЖТФ. Т. 33, вып. 16. С. 59-64. 2001.

Cаидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш. Письма в ЖТФ. Т. 24, вып. 2. С. 12-16. 1998.

Н. Ф. Зикриллаев, О. Б. Турсунов, К. К. Курбоналиев, М. М. Шоабдурахимова. Физика полупроводников и микроэлектроника, том 2, вып. 2, с.15-19. 2020.

М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, О. Б. Турсунов. Молодой ученый, № 43 (281), с. 22-26 2019.

Усмонов Ш.Н., Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Сапаров Д., Холиков К.Т. ФТП. Т. 43, вып. 8. С. 1131-1136. 2009.

Саидов А.С., Саидов М.С., Усмонов Ш.Н., Асатова У.П. ФТП. Т. 44, вып. 7. С. 970-977. 2010.

Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Камалов К.У. Гелиотехника, №2, С. 3-5. 2014.

М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов. Журнал технической физики, том 91, вып. 11. 2021.

М. К. Бахадырханов, З. Т. Кенжаев, С. В. Ковешников, А. А. Усмонов, Г. Х. Мавлонов. Неорганические материалы, том 58, № 1, с. 3–9. 2022.

М.К. Бахадирханов, Н.Ф. Зикриллаев, С.Б. Исамов, Х.С. Турекеев, С.А. Валиев. Физика и техника полупроводников, том 56, вып. 2 (199-203). 2022.

М.К. Бахадырханов, Г.Х. Мавлянов, С.Б. Исамов, Х.М. Илиев, К.С. Аюпов, З.М. Сапарниязова, С.А. Тачилин, Неорганические материалы, 47 (3), 545 (2011).

А.С. Саидов, А. Кутлимуратов, Б. Сапаев, У.Т. Давлатов, Письма в ЖТФ, 27 (8), 265 (2001).