ФОРМИРОВАНИЕ КОММУНИКАТИВНОЙ КОМПЕТЕНЦИИ У УЧАЩИХСЯ НАЧАЛЬНЫХ КЛАССОВ ЧЕРЕЗ ПРОДУКТИВНОЕ ЧТЕНИЕ
Article Sidebar
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Main Article Content
Аннотация:
В системе образования развитых стран мира большое внимание уделяется формированию коммуникативной коампетенции учащаихся, развитию чтения у детей, развитию навыков чтения и понимания текста у учащихся начальных классов. Международный опыт в области методики обучения языкам обращает особое внимание на важность содержания учебных материалов в развитии коммуникативных навыков и эффективности повышения коммуникативной культуры. Творчески используются прагматические и интегративные подходы к формированию у учащихся речевых и лингвистических компетенций, развитию лингвокультурологического сознания на основе специфических требований к изучению языка.
Ключевые слова:
Article Details
Как цитировать:
Библиографические ссылки:
Дереклеева Н. И. Развитие коммуникативной культуры учащихся на уроках и во внеклассной работе / Н.И. Дереклеева. Москва, 2005 г. С.124 - 135.
Ахметова М. Н. Универсальные учебные действия в системе совершенствования и реализации творческого опыта школьников / М. Н. Ахметова // Сибирский педагогический журнал. - 2009. - № 3. - C. 166 - 171.
Светловская Н. Н. Введение в науку о читателе. – М.: МГПУ, 2003.
Асмолов А.Г. Как проектировать универсальные учебные действия в начальной школе - М.; «Просвещение» - 2008.
Асмолов А. Г. Системно - деятельностный подход в разработке стандартов второго поколения // Педагогика. 2009. № 4. C. 18 - 22.
Зимняя И.А. Ключевые компетентности как результативно-целевая основа компетентностного подхода в образовании. Авторская версия/. – М.:Исследовательский центр проблем качества подготовки специалистов. – 2004.
Булыгина Л.Н. О формировании коммуникативной компетентности школьников [Текст] / Л.Н. Булыгина/ Вопросы психологии. - 2014. - № 2. - 149 с.
Булыгина Л.Н. О формировании коммуникативной компетенции школьников / Л.Н. Булыгина / Вопросы психологии. - 2010. - № 2. - С.149.
Бунеев Р. Н. Программа «Чтение и начальное литературное образование (для четырехлетней начальной школы)» [Электронный ресурс] / Р. Н. Бунеев, Е. Н. Бунеева. - www. school2100/ru
Выготский Л. С. Проблема обучения и умственного развития в школьном возрасте. М., 1991.
Гальперин П. Я. Методы обучения и умственное развитие ребенка. - М., 1985.
Гончарова Е. Л. Ранние этапы читательского развития. К теории вопроса. - М.: Школа-Пресс, 2007.
Nasriddinov, S.S., Esbergenov, D.M. A Study of Complex Defect Formation in Silicon Doped With Nickel, Russian Physics Journal, 2023, 65(9), pp. 1559–1563, https://doi.org/10.1007/s11182-023-02801-x
Nasriddinov, S.S. Investigation of temperature sensors based on Si
, Journal of Nano- and Electronic Physics, 2015, 7(3), 03037
Rysbaev, A.S., Tashatov, A.K., Dzhuraev, S.X., Arzikulov, G., Nasriddinov, S.S. On new two-dimensional structures produced on the Si (111) and Si (100) surface upon molecular-beam epitaxy of cobalt and silicon, Journal of Surface Investigation, 2011, 5(6), pp. 1193–1196, https://doi.org/10.1134/S1027451011100193
Bakhadyrkhanov, M.K., Valiev, S.A., Nasriddinov, S.S., Egamov, U. Features of thermal properties of strongly compensated Si, Inorganic Materials, 2009, 45(11), pp.1210–1212, https://doi.org/10.1134/S0020168509110028
Bakhadyrkhanov, M.K., Iliev, Kh.M., Tachilin, S.A., Nasriddinov, S.S., Abdurakhmanov, B.A. Impurity photovoltaic effect in silicon with multicharge Mn clusters, Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 2008, 44(2), pp.132–134, https://doi.org/10.3103/S0003701X08020151
Normuradov, M.T., Tashatov, A.K., Rysbaev, A.S., ... Kholikov, Yu.D., Nasriddinov, S.S. Variations in the electronic structure of the silicon near-surface region during implantation of phosphorus and boron ions, Journal of Communications Technology and Electronics, 2007, 52(8), pp.898–900, https://doi.org/10.1134/S1064226907080104
Rysbaev, A.S., Nasriddinov, S.S., Normuradov, M.T., Umirzakov, B.E., Influence of high doze ion implantation of B and P on the state of the Si(111) surface, Izvestiya Akademii Nauk. Ser. Fizicheskaya, 2002, 66(8), pp.1215–1219
Rysbaev, A.S., Normuradov, M.T., Nasridinov, S.S., Adambaev, K.A. Properties of Silicide Films Formed by Low-Energy Implantation of Metal Ions into Silicon, Journal of Communications Technology and Electronics, 1997, 42(1), pp.114–117
Rysbaev, A.S., Normuradov, M.T., Yuldashev, Yu.Yu., Nasriddinov, S.S., The Effect of Implantation of Low-Energy Ions on the Density of States of Valence Electrons in Silicon, Journal of Communications Technology and Electronics, 1997, 42(2), pp.220–222
Rysbaev, A.S., Normuradov, M.T., Yuldashev, Yu.Yu., Nasriddinov, S.S. The effect of implantation of low-energy ions on the density of states of valence electrons in silicon, Radiotekhnika i Elektronika, 1997, 42(2), pp.240–242
Rysbaev, A.S., Normuradov, M.T., Nasridinov, S.S., Adambaev, K.A. Properties of silicide films formed by low-energy implantation of metal ions into silicon, Radiotekhnika i Elektronika, 1997, 42(1), pp, 125–128