«ХУМАЙУН-НАМЕ» ХОНДАМИРА – ВАЖНЫЙ ИСТОЧНИК ПО УСТАВАМ ХУМАЙУНА
Article Sidebar
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Main Article Content
Аннотация:
Знаменитый историк, плодовитый писатель и поэт, Ходжа Гийасаддин Мухаммад ибн Ходжа Хумамаддин Мухаммад, прозванный благодаря своей начитанности и образованности Хвандамиром или Хондамиром (амир чтецов), был со стороны матери внуком известного историка Мирхонда – автора «Раузат ас-сафа» («Сад чистоты»). Большую часть своей жизни он провел в Герате, где пользовался покровительством просвещенного мецената той эпохи Мир Алишера Навои, и умер в 903/1498 г.
Article Details
Как цитировать:
Библиографические ссылки:
Charles Rieu. Catalogue of the Persian manuscripts in the British Museum. V.I.London. 1879.
Khwandamir. Qanun-i Humayuni (also know as Humayun nama). Translated with explanatory notes by Baini Prashad. Calcutta. 1940.
Ахмад Гулчин Байани. Карван-и Хинд. Техрон. 1369/1991.
Аҳмедов М.Б. “Хондамирнинг “Қонуни Ҳумоюний” асари муҳим тарихий манба”. Номзодлик диссертацияси. Тошкент. 2001.
Бабур Захириддин Мухаммад. Бабур-наме. (Записки Бабура). Перевод М.Салье. Ташкент. 1956.
В.В. Бартольд. Иран, исторический обзор. Сочинения. Москва. 1971. Т. VII.
Мухаммад Касим Хинду-шах. Тарих-и Феришта. Лакхнад. 1313/1905.
Нафиси С. Тарих-и назм ва наср дар Эрон ва дар забан-и фарси. Жилд-и аввал. Техран. 1961. С. 241 и другие.
Хондамир. Маъасир ал-мулук. Предисловие Мир Хашима мухаддиса. Тегеранское издание. 1972/1994.
Хондамир. Макарим ал-ахлак. Кабульское издание. 1260/1981. К нему: Абд ал-Гаффар Байани. Мукаддима.
Хондамир. Хумаюн-наме. Рукопись Санкт-Петербургского филиала Института востоковедения Российскойф Академии наук. Инв. № 1155.
Хондамир. Канун-и Хумайуни. Тегеранское издание. 1372/1994.
Хондамир. Тарих-и Хабиб ас-сийар фи ахбар афрад ал-башар. Таълиф Гийасаддин ибн Хумамаддин ал-Хусейни ал-мадавият Хондамир, ба мукаддима ва калам Джалаладдин Хумайи. Жилд-и I. Теҳрaн. 1373/1954.
Юсупова Д. Жизнь и труды Хондамира. Ташкент. «Фан». 2006.
Nasriddinov, S.S., Esbergenov, D.M. A Study of Complex Defect Formation in Silicon Doped With Nickel, Russian Physics Journal, 2023, 65(9), pp. 1559–1563, https://doi.org/10.1007/s11182-023-02801-x
Nasriddinov, S.S. Investigation of temperature sensors based on Si
, Journal of Nano- and Electronic Physics, 2015, 7(3), 03037
Rysbaev, A.S., Tashatov, A.K., Dzhuraev, S.X., Arzikulov, G., Nasriddinov, S.S. On new two-dimensional structures produced on the Si (111) and Si (100) surface upon molecular-beam epitaxy of cobalt and silicon, Journal of Surface Investigation, 2011, 5(6), pp. 1193–1196, https://doi.org/10.1134/S1027451011100193
Bakhadyrkhanov, M.K., Valiev, S.A., Nasriddinov, S.S., Egamov, U. Features of thermal properties of strongly compensated Si, Inorganic Materials, 2009, 45(11), pp.1210–1212, https://doi.org/10.1134/S0020168509110028
Bakhadyrkhanov, M.K., Iliev, Kh.M., Tachilin, S.A., Nasriddinov, S.S., Abdurakhmanov, B.A. Impurity photovoltaic effect in silicon with multicharge Mn clusters, Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 2008, 44(2), pp.132–134, https://doi.org/10.3103/S0003701X08020151
Normuradov, M.T., Tashatov, A.K., Rysbaev, A.S., ... Kholikov, Yu.D., Nasriddinov, S.S. Variations in the electronic structure of the silicon near-surface region during implantation of phosphorus and boron ions, Journal of Communications Technology and Electronics, 2007, 52(8), pp.898–900, https://doi.org/10.1134/S1064226907080104
Rysbaev, A.S., Nasriddinov, S.S., Normuradov, M.T., Umirzakov, B.E., Influence of high doze ion implantation of B and P on the state of the Si(111) surface, Izvestiya Akademii Nauk. Ser. Fizicheskaya, 2002, 66(8), pp.1215–1219
Rysbaev, A.S., Normuradov, M.T., Nasridinov, S.S., Adambaev, K.A. Properties of Silicide Films Formed by Low-Energy Implantation of Metal Ions into Silicon, Journal of Communications Technology and Electronics, 1997, 42(1), pp.114–117
Rysbaev, A.S., Normuradov, M.T., Yuldashev, Yu.Yu., Nasriddinov, S.S., The Effect of Implantation of Low-Energy Ions on the Density of States of Valence Electrons in Silicon, Journal of Communications Technology and Electronics, 1997, 42(2), pp.220–222
Rysbaev, A.S., Normuradov, M.T., Yuldashev, Yu.Yu., Nasriddinov, S.S. The effect of implantation of low-energy ions on the density of states of valence electrons in silicon, Radiotekhnika i Elektronika, 1997, 42(2), pp.240–242
Rysbaev, A.S., Normuradov, M.T., Nasridinov, S.S., Adambaev, K.A. Properties of silicide films formed by low-energy implantation of metal ions into silicon, Radiotekhnika i Elektronika, 1997, 42(1), pp, 125–128