KREMNIY NOPOKLIK ATOMLARI KLASTERLARI BILAN OPTOELEKTRONIKA VA FOTOVOLTAIK ENERGETIKA UCHUN YANGI MATERIAL
Article Sidebar
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Main Article Content
Abstract:
Maqolada turli belgilarga ega bo'lgan nopoklik atomlarining nanoklasterlari bilan kremniyning noyob funktsional imkoniyatlari taqdim etilgan. Ko'rsatilganki, klasterlarning tabiatiga qarab, IQ mintaqasiga nisbatan sezgirlikning spektral diapazonini kengaytirish va xona haroratida anomal yuqori manfiy magnit qarshilikka ega (Dr/r > 100%) kremniyni olish mumkin. Yarimo'tkazgichli materiallar panjarasida tabiati va kontsentratsiyasi har xil bo'lgan nopoklik atomlari klasterlarini shakllantirish noyob jismoniy xususiyatlarga ega bo'lgan ommaviy nanostrukturali kremniyni olishning yangi usuli hisoblanadi.
Article Details
How to Cite:
References:
Zakari M. Stochustic model of plusma waves for a zimple band stucture in semiconductors. Phys Rev B. 1998-57,в.19 с.12145-12150. Стохостическая модель плазменных волн для данной структуры полупроводников. Прикладная физика, 2020, № 5. стр.80-85.
Зикриллаев Х.Ф., Аюпов К.С., Абдуллаева Н.У1., Саитов Э.Б. Мамасалиев О.К. Жураев О.Ш “Физическая модель низкочастотного автоколебания тока в компенсированном кремнии” “Ilm-fan taraqqiyoti: muammolar, yechim va istiqbollar” mavzusidagi xorijiy olimlar ishtirokidagi Respublika ilmiy-amaliy konferensiya 2023
Лампер М., Марк П. Инжекционные токи в твёрдых телах. Москва 1973,с.416.
Жданова Н.Г. Каган М.С., Сурис Р.А. Фукс Б.И. Влияния монопалярной инжекции на высокочастотную проводимость компенсированных полупроводниках,- ФТП,1979,т.13, в.7, с.1314-1318.
Муравски Б.С. исследование аномальных характеристик точечных контактов с поверхностью германия и кремния ФТП,1962,т.4,в.9,с.2485-2486.
Прохьпенко В.Г. Повышение точности и стабильности ВАХ полупроводниковых источников отрицательного сопротивления. Микроэлектроника 1998,27.в.5.ст370-375.
Володин Н.М., Смертенко П.С., Федоренко Л.Л., Ханова А.В. Особенности ВАХ длинных полупроводниковых структур на сверхвысоких уровня двойной инжекции. ФТП.1998.т.32.№12. с.1476-1481.
Sah C.T., Walker T.W. Thermally stimulated capacitance for shallow majority-carries traps in the edqe reqion of semiconductor junctions. Appl.Phys. Letters. 1973,v.22,N8,P.384-385
Elyor Saitov, Obid Jurayev, Sevara Axrorova, Jushqinbek Ismailov and Bakhtiyor Baymirzaev “Conversion and use of Solar Energy Calculation Methodology for Photovoltaic Systems” Proceedings of the 11th International Conference on Applied Innovations in IT, (ICAIIT), March 2023
Зикриллаев Х.Ф., Аюпов К.С., Абдуллаева Н.У., Умарходжаева З.Н., Хасанбаева С.О., Яхёев М.М.,Саитов.Э.Б.,.Жураев.О.Ш. “Возможности создания автоколебательной среды в структурах р¬+ -р (Si)-p+ на основе сильнокомпенсированного кремния” “Ilm-fan taraqqiyoti: muammolar, yechim va istiqbollar” mavzusidagi xorijiy olimlar ishtirokidagi Respublika ilmiy-amaliy konferensiya 2023
Мустафакулов А.А, Жураев О.Ш “АЛЬТЕРНАТИВНАЯ ЭНЕРГЕТИКА В УЗБЕКИСТАНЕ” INTERNATIONAL SCIENTIFIC-PRACTICAL CONFERENCE "PROSPECTS FOR THE DEVELOPMENT OF DIGITAL ENERGY SYSTEMS,PROBLEMS AND SOLUTIONS FOR OBTAINING RENEWABLE ENERGY-2023