YUQORI HARORATLI TAVLANISH JARAYONIDA TEMIR BORAT (FeBO3)DAGI STRUKTURAVIY O'ZGARISHLAR
Article Sidebar
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Main Article Content
Abstract:
Temir borat ikki asosiy usulda sintezlanishi mumkin: gaz tashish va eritma eritmasi. Birinchi usul yaxshi rivojlangan asosiy bo'lmagan kristalllarni olish imkonini beradi. Temir borat ilm-fan va texnologiyaning turli sohalarida yuqori texnologiyali amaliy qo'llanmalar uchun juda istiqbolli materialdir. Jumladan, FeBO3 asosida, magnit-optik va magnitakustik transduserlar, asboblar o'ta zaif magnit maydonlarni o'lchash, harorat va bosimlarni aniqlash mumkin.
Article Details
How to Cite:
References:
Edelman, I., Kliava, J., fizik. stat. Sol. B. 2009. jild. 246. B. 2216–2231.
Afanasiev D.Razdolski I.Skibinskiy K.M., Bolotin D.Yagupov S.V, Strugatskiy M, Kirilyuk A., Rasing Th. Kimel A.V. // Fiz. Rev. Lett. 2014. jild. 112. P. 147403-1-5.
Pankratov A., Strugatskiy M., Yagupov S. // Olimlar Taurida Milliy Universitetining eslatmalari. Fizika. 2007 yil. T. 20 (59). № 1, 64–73-betlar.
Sharipov M.Z., Sokolov B.Yu. Fayziyev Sh.Sh., Mirjanova N.N. FeBO3 : Mg kristalining magnit strukturasining qayta joylashishining uning magnit-optik anizotropiyasiga ta'siri. Fan, texnologiya va ta'lim. 2015. No4 (10), -P. 15-18.
D. R. Djurayev, B. Yu. Sokolov va Sh. Sh. Fayziyev. FeBO3 : Mg monokristalining kosmik modulyatsiyalangan magnit tartibidagi fotoinduktsiyali o'zgarishlar. Rossiya fizika jurnali, 2011, jild. 54, №3, -P 382-385.
Djuraev D. R., Turaev A. A. Photoelectric sensitivity of multifunctional sensor on the outdoor transistor //Scientific reports of Bukhara State University. – 2018. – Т. 1. – №. 2. – С. 7-11.
Karimov A. V. et al. Distinctive features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of measurement //Journal of Engineering Physics and Thermophysics. – 2016. – Т. 89. – №. 2. – С. 514-517.
Dzhuraev D. R., Turaev A. A. Features of key parameters of field transistors //Scientific reports of Bukhara State University. – 2020. – Т. 3. – №. 2. – С. 7-10.
Каримов А. В. и др. Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе //Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2011.
Djuraev D. R. et al. The Principles Of Increasing The Sensitivity Of Transistor Structures To External Influences //Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. – 2019. – Т. 1. – №. 1. – С. 36.
Karimov A. V. et al. Tenso properties of field-effect transistors in channel cutoff mode //International Journal of Engineering Inventions e-ISSN. – 2016. – С. 2278-7461.
Karimov A. V. et al. Nekotorye osobennosti ogranichitelya toka na polevom tranzistore //Tehnologiya i konstruirovanie v elektronnoj apparature. – 2011. – №. 1-2. – С. 90.
Тураев А. А., Ахтамов Б. Р. Основные критерии параметров полевого транзистора для многофункционального датчика //Наука без границ. – 2017. – №. 6 (11).
Rakhmanovich D. D. et al. Physical and Technological Aspects of the Sensor on the Field Transistor //Central Asian journal of theoretical & applied sciences. – 2021. – Т. 2. – №. 10. – С. 101-106.
Ahmedjonovna S. S., Ataevich T. A. Control of stock current in field-effect transistors by gate voltage //ACADEMICIA: An International Multidisciplinary Research Journal. – 2021. – Т. 11. – №. 4. – С. 417-421.
Тураев А. А. Термочувствительный параметр полевого транзистора в режиме ограничения токов //Научный альманах. – 2019. – №. 2-2. – С. 81-84.
Тураев А. А. Особенности температурной чувствительности транзисторной структуры в двухполюсном режиме //Colloquium-journal. – Голопристанський міськрайонний центр зайнятості, 2019. – №. 3-1 (27).
Тураев А. А., Жураев А. Р. Модуль приема оптических сигналов с входным каскадом на полевом фототранзисторе : дис. – Сумский государственный университет, 2016.
Тураев А. А. Стоковая, вольтамперные характеристики полевого транзистора //Информационные и инновационные технологии в науке и образовании. – 2020. – С. 666-669.
Djuraev D. R., Turaev A. A. Photoelectric sensitivity of multifunctional sensor on the outdoor transistor //Scientific reports of Bukhara State University. – 2018. – Т. 1. – №. 2. – С. 7-11.
Каримов А. В. и др. Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой //Журнал фізики та інженерії поверхні. – 2015. – Т. 13. – №. 1. – С. 12-16.
Тураев А. А., Хайдаров Р. М., Хожиев Ж. Ж. Фотовольтаический эффект в диодном режиме включения полевого транзистора //Молодой ученый. – 2015. – №. 23. – С. 40-43.
Juraev D. R., Nazarova M., Turaev A. The atmospheric optical communication link of new generation; Atmosfernye opticheskie linii svyazi novogo pokoleniya. – 2010.
Карuмов А. В. и др. Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с ди намической.
Тураев А. А. Исследование биполярного транзистора в качестве датчика температуры.
Turaev A. A., KS S. Dinamik yuklamali sxemada maydoniy tranzistorning kuchaytirish xossalari //Buxoro davlat universiteti ilmiy axboroti. – 2016. – Т. 4. – №. 64. – С. 31-35.
Тураев А. А. Термочувствительный параметр полевого транзистора в режиме ограничения токов //Научный альманах. – 2019. – №. 2-2. – С. 81-84.
Abdulkhayev O. A. et al. Physico-technological aspects multifunctional sensor on field-effect transistor //New Trends of Development Fundamental and Applied Physics: Problems, Achievements and Prospects. – 2016. – С. 10-11.
Тураев А. А. ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ДАТЧИКА НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ //Национальная ассоциация ученых. – 2020. – №. 57-1 (57). – С. 56-59.
Abdulkhaev O. A. et al. The optical signal transfer and reception modules via atmosphere; Moduli peredachi i priema opticheskogo signala cherez atmosferu. – 2011.
Rakhmatov A. Z. et al. Research the drain characteristics of field-effect transistor as current limiter; Issledovanie stokovykh kharakteristik polevogo tranzistora v kachestve ogranichitelya toka. – 2010.
Juraev D. R., Nazarova M., Turaev A. The atmospheric optical communication link of new generation; Atmosfernye opticheskie linii svyazi novogo pokoleniya. – 2010.
Atayevich T. A. et al. Properties of the Most Important Semiconductors //American Journal of Social and Humanitarian Research. – 2022. – Т. 3. – №. 7. – С. 188-194.
Turayev A. A., Hamrayev J. H. Researching of the influence of mechanical stresses on magneto-optical properties of iron borate crystal //Global Scientific Review. – 2022. – Т. 10. – С. 82-85.
Valiyev U.V., Saidov K.S., Lukina M.M. TbAlO3 nodir yer ortoalyuminatida Faraday effektining tabiati haqida. Qattiq jismlar fizikasi. 1999. No11, P.2047-2052.
D.R. Djurayev, L.N. Niyozov, B.Y. Sokolov. Strukturaviy heterojen oson tekislik zaif ferromagnitlarning modulyatsiyalangan magnit fazasi. Texnik fizika 61 (6), 883-886.