ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК CdTe МЕТОДОМ МАГНЕТРОННО-ИОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ
Main Article Content
Аннотация:
Материалы CdTe методом распыления магнетрона изготовлены в основном газотранспортной реакции в потоке водорода на молибденовые и графитовые подложки при высокой температуре зоны порядка Т6009500С. Для испарения использовались мелко зерновые порошки CdTe. Были опробованы разные режимы выращивания плёнок, и также менялись расстояния испаритель-подложка. Мишени получались разными по структуре и по толщине. Толщина d100500 мкм, диаметр D45cм. Общее количество мишени, опробованные в плазме порядка 30шт.Качественные наилучшие образцы для мишени получены, тогда температура источника Ти=9500С и температура подложки Тп=7000С, а расстояние между источником и подложкой равно 2см
Ключевые слова:
Article Details
Как цитировать:
Библиографические ссылки:
Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич А.В. Эпитаксиальные пленки соединений А2В6. Ленинград, 1978.
S.А. Аchilov, S.А. Мuzafarova, G.А. Мuzafarova, А. Кutlimratov “Magnetron ionli purkash usuli bilan olingan ito qatlamlarining xususiyatlari” Ёш олимлар ва физик талабаларнинг V республика илмий анжумани (ЁОФТРИА-V) Тошкент, 2025. 65-68-б.
S.A. Muzafarova, A.S. Achilov, Z.M. Xusanov, O.Sh. Norqulov, N.A.Axmedova, N.O. Odilova, “Gaz tashish usuli orqali teksturali kremniyning ustiga yupqa qatlamli CdTe o‘stirish” Ёш олимлар ва физик талабаларнинг V республика илмий анжумани (ЁОФТРИА-V) Тошкент, 2025. 47-49-б
