YARIMO‘TKAZGICHLI MURAKKAB GETEROTUZILMALARDA REZONANS TUNNEL O‘TISHLAR

Article Sidebar

PDF
Выпуск: Том 4 № 5 : Молодые ученые
Раздел: Статьи
Опубликован:

Main Article Content

Ilmiy rahbar: Namangan Davlat Universiteti, Fizika-matematika fakulteti, Yarim o‘tkazgichlar fizikasi yo‘nalishi, 1-kurs magistranti
info@in-academy.uz
Namangan Davlat Universiteti, Fizika-matematika fakulteti, Yarim o‘tkazgichlar fizikasi yo‘nalishi, 1-kurs magistranti
info@in-academy.uz

Аннотация:

Mazkur ilmiy maqolada yarimo‘tkazgichli murakkab geterotuzilmalarda rezonans tunnel o‘tish hodisasi chuqur nazariy va amaliy jihatdan tahlil qilinadi. Kvant tunnellanishning fizik mohiyati, potensial quduq va to‘siqlarning shakllanish mexanizmlari, diskret energetik sathlar va tashqi elektr maydon ta’sirida elektron transport jarayonlari batafsil yoritilgan. Tadqiqot natijalari zamonaviy nanoelektronika, tezkor kalitlash qurilmalari va kvant texnologiyalarida rezonans tunnel hodisasining katta amaliy ahamiyatga ega ekanligini ko‘rsatadi.

Ключевые слова:

Article Details

Как цитировать:

Tohirjonov, M., & Karimbekova , X. (2026). YARIMO‘TKAZGICHLI MURAKKAB GETEROTUZILMALARDA REZONANS TUNNEL O‘TISHLAR. Молодые ученые, 4(5), 26–28. извлечено от https://in-academy.uz/index.php/yo/article/view/72359

Библиографические ссылки:

Datta S. Electronic Transport in Mesoscopic Systems. Cambridge University Press.

Sze S.M., Ng K.K. Physics of Semiconductor Devices. Wiley.

Esaki L. New Phenomena in Narrow Semiconductor Junctions. Physical Review.

Harrison P. Quantum Wells, Wires and Dots. Wiley.

Bastard G. Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures. Wiley.